碳化硅是共价键很强的化合物，碳化硅中Si-C键的离子性仅12%左右。因此，碳化硅陶瓷强度高、弹性模量大，具有优良的耐磨损性能。纯碳化硅不会被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液侵蚀。在空气中加热时易发生氧化，但氧化时表面形成的SiO2会抑制氧的进一步扩散，故氧化速率并不高。在电性能方面，碳化硅具有半导体性，少量杂质的引入会表现出良好的导电性。此外，碳化硅还有优良的导热性。碳化硅具有α和β两种晶型。β-SiC的晶体结构为立方晶系，Si和C分别组成面心立方晶格;α-SiC存在着4H、15R和6H等100余种多型体，其中，6H多型体为工业应用上更为普遍的一种。在碳化硅的多种型体之间存在着一定的热稳定性关系。在温度低于1600℃时，碳化硅以β-SiC形式存在。当高于1600℃时，β-SiC缓慢转变成α-SiC的各种多型体。4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型体均需在2100℃以上的高温才易生成;对于6H-SiC，即使温度超过2200℃，也是非常稳定的。碳化硅中各种多型体之间的自由能相差很小，因此，微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。